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아주 간단한 구조로 결합된 정렬된 은나노와이어와 반도체 기판과의 결합은 테라 헤르츠 펄스의 고효율 광 변조 특성을 가지고 있다. 광여기가 없는 경우 테라헤르츠 전자기파는 대부분 나노와이어가 있는 벽면을 투과해 지나가지만 광여기가 존재하는 경우 은 나노와이어는 실리콘 기판만 있는 경우와는 달리 테라헤르츠 전자기파의 투과도를 조정할 수 있다. 이를 활용할 경우 금속 나노와이어와 반도체 기판의 간단한 연계구조를 활용한 테라헤르츠 전자기파의 진폭변조기를 만들수 있다.