연구성과

청색 LED 발광 효율 30% 증가시킨 원천기술 개발

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작성자 고등광연구소
댓글 0건 조회 1,738회 작성일 16-12-30 17:25

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InGaN 청색 LED(발광 다이오드)의 ITO 전극층 위에 저온 수열 합성법 (hydrothermal method)으로 산화아연(ZnO) 막대를 성장시켰다. 이어, 자체 개발한 공초점 전계발광 마이크로 현미경을 이용하여 산화아연 막대가 LED에서 발생한 빛을 받아들여 효과적 으로 방출하는지 여부 등의 특성을 조사하였다. 이 결과, LED 발광 시, 산화아연 막대를 통해 전달된 빛이 막대 끝 부분으로 효과적으로 추출하는 것을 관찰하였다. 이것은, 산화아연 막대가 빛이 지나가는 관으로 역할하며, LED구조의 발광 효율이 증가한다는 것을 실험을 통해 입증하였다.


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<사진설명 : LED 의 ITO 컨택 층위에 성장 조절 되어 수열합성된 산화아연 마이크로 /sub 마이크로 막대 a) pH 10 / 6 시간 성장, b) pH 10 / 12 시간 성장, c) pH 7 / 6 시간 성장, d) pH 7 / 12 시간 성장>

 

 

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